随着功率器件耐高压、耐高温、高频工作性能要求的不断提升,以SiC 为衬底材料的第三代半导体器件正在蓬勃发展,并将广泛应用到轨道交通、开关电源、电动汽车、新能源发电、智能电网等诸多领域。持续优化并改进SiC材料工艺、器件设计及中高端制程已成为我国电力电子行业亟待开展的工作。针对这一国家重大技术需求,深圳大学半导体制造研究院正式创立了“SiC器件研发中心”。

该中心同时聚集了深圳大学机电与控制工程学院、材料学院等相关领域的顶尖研究人员,共同攻克核心技术瓶颈。
该中心诚挚欢迎国内相关企业和研发机构携手合作,请联系:guodj@szu.edu.cn。
2020年12月21日